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快速蝕刻

半加成法線路形成<SAP>用藥劑

在此要介紹特別適用於去除SAP工法的銅和鈦種子層(seed layer)的蝕刻劑。
可將undercut與線細等現象的發生抑制在最小限度,形成優異的微細配線。

MECBRITE QE-7300

硫酸-過氧化氫系快速蝕刻劑,用於去除銅種子層(seed layer)。

MECBRITE QE-7300的特色
  • 最大限度地抑制配線寬度的減少。
  • 可獲得undercut較少的良好線路形狀。
  • 可以最大限度地減少銅表面的粗化,保持平滑的銅表面。
  • 由於是添加劑類型,因此可以根據生產率調整蝕刻速率。
  • 耐氯性高,蝕刻速率穩定。
線路形成示例
未處理 パターン形状例 No treatment
一般蝕刻劑 1.0μm パターン形状例 No treatment
QE 系列 1.0μm パターン形状例 QE 系列 1.0μm
  • L/S=10/10μm, 底銅:化銅 0.5μm,
表面形貌
未處理 表面形状 No treatment
一般蝕刻劑 1.0μm 表面形状 傳統的 1.0μm
QE 系列 1.0μm 表面形状 QE 系列 1.0μm
  • 敝司電鍍基板

MEC REMOVER QT-1100

一種硫酸基底的快速蝕刻劑,用於去除鈦seed layer。

MEC REMOVER QT-1100的特色
  • 對銅的影響較小,同時將undercut和線寬的減縮抑制在最小限度。
  • 由於不含氫氟酸、氨、過氧化氫,因此具有優異的液體穩定性。
  • 透過浸泡處理,可以在60秒內去除50nm的鈦seed layer。
線路形成示例
未處理 パターン形状例 No treatment
Cu seed layer 蝕刻後
(QE 系列)
パターン形状例 Cu籽晶蝕刻後 (QE 系列)
Ti seed layer 蝕刻後
(QT-1100)
パターン形状例 After
  • Seed layer:濺鍍銅150 nm / To 50 nm,L/S=3/3μm

半加成法線路形成<M-SAP>用藥劑

在此要介紹特別適用於去除M-SAP工法的銅seed layer的蝕刻劑。
可最大限度地減少底切和線細的發生,形成優異的微細配線。

MECBRITE CI-7200

硫酸-雙氧水系的銅seed layer去除用蝕刻劑。

MECBRITE CI-7200的特色
  • 可獲得較少undercut的良好線路形狀。
  • 對於銅箔芽根部分具有優異的蝕刻性,可最大限度地抑制配線寬度的減少。
  • 可用作SAP和M-SAP工法的銅seed layer去除劑。
  • 由於是添加劑類型,因此可以根據生產率調整蝕刻速率。
處理流程
  • CI-7220系列 30°C(標準),噴灑處理
    處理時間40~60秒(標準)
  • 水洗
  • 後處理 3~5%Na0H,室溫,噴灑處理
    處理時間20秒(標準)
  • 水洗
  • 烘乾
  • 以 CI-7220 為例
線路形成示例
處理前 配線形成例 処理前
常規產品 配線形成例 傳統的
CI-7200系列 配線形成例 CI 系列
  • 50µm間距
    底銅結構:銅箔3µm+化銅1µm

鈀觸媒殘渣去除用藥劑

MEC REMOVER PJ-9720

鹽酸類的鈀催化劑殘留物去除藥劑。特別適合去除SAP工法中殘留在絕緣樹脂上的鈀催化劑殘留物。

MEC REMOVER PJ-9720的特色
  • 選擇性地去除鈀催化劑而不損壞導體線路。
  • 提高絕緣可靠性。
  • 抑制化學鍍鎳的異常析出。
  • 既可採用浸泡處理,也可採用噴淋處理。
  • 可在相對較低的溫度(25-40°C)下使用。
  • 可以進行自動管理補給。
樹脂上是否有化鎳的析出
無PJ-9720處理 有PJ-9720處理
未經處理 PJ9720
  • 佈線間距10μm
處理時間與鈀檢出強度的關係(35℃噴灑)
処理時間とPd検出強度の関係(40℃スプレー)のグラフ
敬請先行諮詢。

本公司將配合客戶的需求推薦最適合的產品。

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