MEC COMPANY LTD.

半加成法線路形成＜SAP＞用藥劑

在此要介紹特別適用於去除SAP工法的銅和鈦種子層(seed layer)的蝕刻劑。
可將undercut與線細等現象的發生抑制在最小限度，形成優異的微細配線。

MECBRITE QE-7300

硫酸-過氧化氫系快速蝕刻劑，用於去除銅種子層(seed layer)。

MECBRITE QE-7300的特色

• 最大限度地抑制配線寬度的減少。
• 可獲得undercut較少的良好線路形狀。
• 可以最大限度地減少銅表面的粗化，保持平滑的銅表面。
• 由於是添加劑類型，因此可以根據生產率調整蝕刻速率。
• 耐氯性高，蝕刻速率穩定。

線路形成示例

未處理
一般蝕刻劑 1.0μm
QE 系列 1.0μm

• L/S=10/10μm, 底銅：化銅 0.5μm,

表面形貌

未處理
一般蝕刻劑 1.0μm
QE 系列 1.0μm

• 敝司電鍍基板

MEC REMOVER QT-1100

一種硫酸基底的快速蝕刻劑，用於去除鈦seed layer。

MEC REMOVER QT-1100的特色

• 對銅的影響較小，同時將undercut和線寬的減縮抑制在最小限度。
• 由於不含氫氟酸、氨、過氧化氫，因此具有優異的液體穩定性。
• 透過浸泡處理，可以在60秒內去除50nm的鈦seed layer。

線路形成示例

未處理
Cu seed layer 蝕刻後 (QE 系列)
Ti seed layer 蝕刻後 （QT-1100）

• Seed layer：濺鍍銅150 nm / To 50 nm，L/S=3/3μm

半加成法線路形成＜M-SAP＞用藥劑

在此要介紹特別適用於去除M-SAP工法的銅seed layer的蝕刻劑。
可最大限度地減少底切和線細的發生，形成優異的微細配線。

MECBRITE CI-7200

硫酸-雙氧水系的銅seed layer去除用蝕刻劑。

MECBRITE CI-7200的特色

• 可獲得較少undercut的良好線路形狀。
• 對於銅箔芽根部分具有優異的蝕刻性，可最大限度地抑制配線寬度的減少。
• 可用作SAP和M-SAP工法的銅seed layer去除劑。
• 由於是添加劑類型，因此可以根據生產率調整蝕刻速率。

處理流程

• 以 CI-7220 為例

線路形成示例

處理前
常規產品
CI-7200系列

• 50µm間距
  底銅結構：銅箔3µm+化銅1µm

鈀觸媒殘渣去除用藥劑

MEC REMOVER PJ-9720

鹽酸類的鈀催化劑殘留物去除藥劑。特別適合去除SAP工法中殘留在絕緣樹脂上的鈀催化劑殘留物。

MEC REMOVER PJ-9720的特色

• 選擇性地去除鈀催化劑而不損壞導體線路。
• 提高絕緣可靠性。
• 抑制化學鍍鎳的異常析出。
• 既可採用浸泡處理，也可採用噴淋處理。
• 可在相對較低的溫度（25-40°C）下使用。
• 可以進行自動管理補給。

樹脂上是否有化鎳的析出

無PJ-9720處理	有PJ-9720處理

• 佈線間距10μm

處理時間與鈀檢出強度的關係（35℃噴灑）