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底铜的蚀刻

下面介绍的是适用于去除底铜的硫酸-双氧水系蚀刻剂,将侧蚀及蚀刻过度而引起的线路变细的发生控制在最低限度,形成良好的线路。适用于去除SAP工艺的底铜。

MECBRITE

QE-7300

属于硫酸-双氧水系快速蚀刻剂。特别适用于蚀刻SAP的底铜,形成精细线路。

MECBRITE QE-7300的特点

  • 最大限度地减少线路变细,保持良好的线宽。
  • 可获得侧蚀较少的良好的导电图形。
  • 属于添加剂型,故可根据生产线的情况调整微蚀速率。

线路形成示例

25μm间距
底层:化学沉铜1μm

下面介绍适用于去除底铜的硫酸-双氧水系蚀刻剂,可将侧蚀及蚀刻过度而引起的线路变细的发生控制在最低限度,形成良好的线路。适用于去除M-SAP工艺的底铜。

MECBRITE

CI-7200

属于硫酸-双氧水系快速蚀刻剂。特别适用于M-SAP的底铜蚀刻,形成良好的精细线路。

MECBRITE CI-7200的特点

  • 可获得侧蚀较少的良好的导电图形。
  • 铜箔锚拴部分的蚀刻性非常出色,可以最大限度地保持线宽。
  • 可作为SAP工艺、M-SAP工艺的底铜退除剂使用。
  • 属于添加剂型,故可根据生产线的情况调整蚀刻速率。

处理工序

线路形成示例

25μm间距
底层:化学沉铜1μm

属于Pd催化剂残渣去除剂,在SAP工艺中可有效地去除绝缘树脂上残留的Pd催化剂残渣。

MEC REMOVER

PJ-9720

属于盐酸系Pd催化剂残渣去除剂。特别适用于在SAP工艺中去除绝缘树脂上残留的Pd催化剂残渣。

MEC REMOVER PJ-9720的特点

  • 几乎不损害导体图形,有选择地去除Pd催化剂。
  • 提高绝缘信赖性。
  • 抑制化镍的异常析出。
  • 浸泡、喷淋处理方式皆可使用。
  • 可在比较低的温度(25-40℃)下使用。
  • 可自动管理补充。

确认树脂上有无化镍的析出

处理时间与Pd检测强度的关系(40℃喷淋)

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