底铜的蚀刻
下面介绍的是适用于去除底铜的硫酸-双氧水系蚀刻剂，将侧蚀及蚀刻过度而引起的线路变细的发生控制在最低限度，形成良好的线路。适用于去除SAP工艺的底铜。
MECBRITE
QE-7300
属于硫酸-双氧水系快速蚀刻剂。特别适用于蚀刻SAP的底铜，形成精细线路。
MECBRITE QE-7300的特点
- 最大限度地减少线路变细，保持良好的线宽。
- 可获得侧蚀较少的良好的导电图形。
- 属于添加剂型，故可根据生产线的情况调整微蚀速率。
线路形成示例
25μm间距
底层：化学沉铜1μm
下面介绍适用于去除底铜的硫酸-双氧水系蚀刻剂，可将侧蚀及蚀刻过度而引起的线路变细的发生控制在最低限度，形成良好的线路。适用于去除M-SAP工艺的底铜。
MECBRITE
CI-7200
属于硫酸-双氧水系快速蚀刻剂。特别适用于M-SAP的底铜蚀刻，形成良好的精细线路。
MECBRITE CI-7200的特点
- 可获得侧蚀较少的良好的导电图形。
- 铜箔锚拴部分的蚀刻性非常出色，可以最大限度地保持线宽。
- 可作为SAP工艺、M-SAP工艺的底铜退除剂使用。
- 属于添加剂型，故可根据生产线的情况调整蚀刻速率。
处理工序
线路形成示例
25μm间距
底层：化学沉铜1μm
属于Pd催化剂残渣去除剂，在SAP工艺中可有效地去除绝缘树脂上残留的Pd催化剂残渣。
MEC REMOVER
PJ-9720
属于盐酸系Pd催化剂残渣去除剂。特别适用于在SAP工艺中去除绝缘树脂上残留的Pd催化剂残渣。
MEC REMOVER PJ-9720的特点
- 几乎不损害导体图形，有选择地去除Pd催化剂。
- 提高绝缘信赖性。
- 抑制化镍的异常析出。
- 浸泡、喷淋处理方式皆可使用。
- 可在比较低的温度（25-40℃）下使用。
- 可自动管理补充。
确认树脂上有无化镍的析出
处理时间与Pd检测强度的关系（40℃喷淋）
