半加成法 形成线路＜SAP＞用药水
下面分别介绍特别适用于去除SAP工艺的铜、Ti种子层的蚀刻剂。
可将侧蚀及线路变细的发生控制在最低限度，形成良好的精细线路。
MECBRITE QE-7300
属于硫酸-双氧水系去除底铜用快速蚀刻剂。
MECBRITE QE-7300的特点
- 将线宽的减少控制在最低限度。
- 可获得侧蚀较少的良好的图形形状。
- 可将铜表面的粗化控制在最低限度，保持平滑的铜表面。
- 属于添加剂型，故可根据生产率的情况调整蚀刻速度。
- 耐氯性高，蚀刻速度稳定。
线路形成示例
| 未经处理 |  |
|---|---|
| 传统的 1.0μm |  |
| QE 系列 1.0μm |  |
- L/S=10/10μm, 底层：化学沉铜 0.5μm,
表面形貌
| 未经处理 |  |
|---|---|
| 传统的 1.0μm |  |
| QE 系列 1.0μm |  |
- 我们的电解板
MEC REMOVER QT-1100
一种基于硫酸的快速蚀刻剂，用于去除钛种子层。
MEC REMOVER QT-1100的特点
- 对铜的影响小，将线宽的减少与侧蚀控制在最低限度。
- 不含氢氟酸、氨、过氧化氢，因此药水稳定性良好。
- 通过浸泡处理，可在60秒以内去除50nm的Ti种子层。
线路形成示例
| 未经处理 |  |
|---|---|
| Cu种子层蚀刻后 (QE 系列) |
 |
| Ti种子层蚀刻后 （QT-1100） |
 |
- 种子层：溅射铜150 nm / To 50 nm，L/S=3/3μm
半加成法 形成线路＜M-SAP＞用药水
下面介绍特别适用于去除M-SAP工艺底铜的蚀刻剂。
可将侧蚀及线路变细的发生控制在最低限度，形成良好的精细线路。
MECBRITE CI-7200
属于硫酸-双氧水系去除底铜用蚀刻剂。
MECBRITE CI-7200的特点
- 可获得侧蚀较少的良好的图形形状。
- 铜箔锚栓部分的蚀刻性出色，将线宽的减少控制在最低限度。
- 可作为SAP工艺、M-SAP工艺的底铜去除剂使用。
- 属于添加剂型，故可根据生产率的情况调整蚀刻速度。
处理工序
-
CI-7220系列药水
30°C（标淮）、喷淋处理
处理时间40-60秒（标准） - 水洗
-
后处理
3-5%NaOH、室温、喷淋处理
处理时间20秒（标准） - 水洗
- 烘干
- 以 CI-7220 为例
线路形成示例
| 未经处理 |  |
|---|---|
| 传统的 |  |
| CI 系列 |  |
- 50μm间距种子层; 铜箔3μm+无电解铜1μm
钯催化剂残渣 去除用药水
MEC REMOVER PJ-9720
属于盐酸系Pd催化剂残渣去除药水。特别适用于在SAP工艺中去除绝缘树脂上残留的Pd催化剂残渣。
MEC REMOVER PJ-9720的特点
- 几乎不损害导体图形，有选择地去除Pd催化剂。
- 提高绝缘信赖性。
- 抑制化镍的异常析出。
- 浸泡处理、喷淋处理方式皆可使用。
- 可在比较低的温度（25～40℃）下使用。
- 可自动管理补充。
确认树脂上有无化镍的析出
| 无PJ-9720处理 | 有PJ-9720处理 |
|---|---|
 |
 |
- 布线间距10μm
处理时间与Pd检测强度的关系（35℃喷淋）
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