メック株式会社

セミアディティブ工法 配線形成＜SAP＞用薬品

特にSAP工法の銅、Tiシード層除去に適したエッチング剤をそれぞれご紹介します。
アンダーカットや配線細りの発生を最小限に抑え、良好な微細配線形成を可能にします。

メックブライト QEシリーズ

硫酸-過酸化水素系の銅シード層除去用クイックエッチング剤です。

メックブライト QEシリーズの特徴

• 配線幅の減少を最小限に抑えます。
• アンダーカットの少ない良好なパターン形状を得られます。
• 銅表面の粗化を最小限に抑え、平滑な銅表面を維持することが可能です。
• 添加剤タイプのため生産性に合わせたエッチング速度の調整が可能です。
• 耐塩素性が高く、エッチング速度が安定しています。

パターン形状例

Untreated
Conventional 1.0μm
QE series 1.0μm

• L/S=10/10μm, 銅シード厚 0.5μm,

表面形状

Untreated
Conventional 1.0μm
QE series 1.0μm

• 弊社電解めっき板

メックリムーバー QT-1100

硫酸系のTiシード層除去用クイックエッチング剤です。

メックリムーバー QT-1100の特徴

• 銅への影響が少なく、配線幅の減少やアンダーカットを最小限に抑えます。
• フッ化水素酸やアンモニア、過酸化水素を含まないため液安定性に優れます。
• 浸漬処理で50nmのTiシードを60秒以内に除去可能です。

パターン形状例

Untreated
After Cu seed etching (QE series)
After Ti seed etching （QT-1100）

• シード層: スパッタ銅 150nm / Ti 50nm, L/S=3/3μm

セミアディティブ工法 配線形成＜M-SAP＞用薬品

特にM-SAP工法の銅シード層除去に適したエッチング剤をご紹介します。
アンダーカットや配線細りの発生を最小限に抑え、良好な微細配線形成を可能にします。

メックブライト CI-7200 シリーズ

硫酸-過酸化水素系の銅シード層除去用エッチング剤です。

メックブライト CI-7200 シリーズの特徴

• アンダーカットの少ない良好なパターン形状を得られます。
• 銅箔アンカー部分のエッチング性に優れ、配線幅の減少を最小限に抑えます。
• SAP工法、M-SAP工法の銅シード層除去剤として使用可能です。
• 添加剤タイプのため、生産性に合わせたエッチング速度の調整が可能です。

処理プロセス例

• CI-7220の場合

配線形成例

Untreated
Conventional
CI series

• 50μmピッチ シード層：銅箔3μm+無電解銅1μm

パラジウム触媒残渣除去用薬品

メックリムーバー PJ-9720

塩酸系のPd触媒残渣除去薬品です。特にSAP工法における絶縁樹脂上に残留するPd触媒残渣の除去に最適です。

メックリムーバー PJ-9720の特徴

• 導体パターンをほとんど侵すことなくPd触媒を選択的に除去します。
• 絶縁信頼性を向上させます。
• 無電解Niめっきの異常析出を抑制します。
• 浸漬処理、スプレー処理のどちらでも使用可能です。
• 比較的低い温度（25～40℃）での使用が可能です。
• 自動管理補給が可能です。

無電解ニッケルめっきの樹脂上への析出有無

Untreated	PJ-9720

• 配線スペース10µm

処理時間とPd検出強度の関係（35℃スプレー）