高周波基板用密着向上処理

メックフラットボンド

GTプロセス

GTプロセスの特徴

  • エッチングや表面粗化を伴わないため、処理前後の導体形状変化がほとんどありません。
  • 高周波領域において伝送損失が少ないです。
  • 高周波基板に使用される低誘導電率材料に対して密着性に優れます。

伝送損失

密着性

表面形状

パターン形状

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